Laserbasierte Siliziumkristallisation für monolithische Integration

Laserbasierte Siliziumkristallisation für monolithische Integration bei MEMS-Sensoren

12.10.2022

Bild: Laserbasiertes Kristallisationsverfahren für die Herstellung von MEMS-Sensoreinheiten ; Copyright: Fraunhofer ILT, Aachen

Schonende Hochtemperatur-Kristallisation: Das Fraunhofer ILT hat mit dem Fraunhofer ISIT und IST ein selektives, laserbasiertes Kristallisationsverfahren für die Herstellung von MEMS-Sensoreinheiten direkt auf aktiven Schaltkreisen entwickelt.

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Bild: Mikrofluidik; Copyright: Messe Düsseldorf